علی نادری (عضو هیات‌علمی)

مقالات علمی چاپ شده در مجلات

1. "Efficient Digital Realization of Endocrine Pancreatic beta Cells"
   Milad Ghanbarpour, , Saeed Haghiri, Behzad Ghanbari, Arash Ahmadi
   IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems, Vol. 17, pp.246-256, 2023
2. "Enhanced performance of SOI MESFETs by displacement of gate contact and applying double oxide packets"
   Behrooz Fath-Ganji, Ali Mir, , Reza Talebzadeh, Ali Farmani
   ELECTRICAL ENGINEERING, Vol. 105, pp.3-14, 2023
3. "Implementation of cardiac Purkinje Fiber cells Model: High speed and low cost hardware"
   Mahsa Salimi Mansouri, , Behzad Ghanbari
   AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS, Vol. 153, pp.1-11, 2022
4. "Embedded metal and L-shaped oxide layers in silicon on insulator MESFETs: higher electric field tolerance and lower high frequency gate capacitances"
   Elham Farahzad,
   JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, Vol. 33, pp.19971-19984, 2022
5. "A novel metal-semiconductor device to enhance the current and unilateral power gains and 0 dB frequencies by SiO2 insertion in drift region"
   Amir Abdi,
   Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, Vol. 283, pp.1-11, 2022
6. "DC and RF characteristics improvement in SOI-MESFETs by inserting additional SiO2 layers and symmetric Si wells"
   Sasan Khanjar,
   Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, Vol. 272, 2021
7. "High Speed and Low Digital Resources Implementation of Hodgkin-Huxley Neuronal Model Using Base-2 Functions"
   Saeed Haghiri, , Behzad Ghanbari, Arash Ahmadi
   IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, Vol. 68, pp.275-287, 2021
8. "An Efficient Digital Realization of Retinal Light Adaptation in Cone Photoreceptors"
   Milad Ghanbarpour, , Saeed Haghiri, Arash Ahmadi
   IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, Vol. 68, pp.5072-5080, 2021
9. "Shifted gate electrode of silicon on insulator metal semiconductor FETs to amend the breakdown and transconductance"
   , Hamed Mohammadi
   European Physical Journal Plus, Vol. 136, pp.1-17, 2021
10. "Proposal of a doping-less tunneling carbon nanotube field-effect transistor"
    Maryam Ghodrati, Ali Mir,
    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, Vol. 265, 2021
11. "Embedding Two P+ Pockets in the Buried Oxide of Nano Silicon on Insulator MOSFETs: Controlled Short Channel Effects and Electric Field"
    Zahra Aghaeipour,
    Silicon, Vol. 12, pp.2611-2618, 2020
12. "The use of a Gaussian doping distribution in the channel region to improve the performance of a tunneling carbon nanotube field-effect transistor"
    , Maryam Ghodrati, Sobhi Baniardalani
    Journal of Computational Electronics, Vol. 19, pp.283-290, 2020
13. "Reduction in Self-Heating Effect of SOI MOSFETs by Three Vertical 4H-SiC Layers in the BOX"
    Behrooz Abdi Tahne, , Fatemeh Heirani
    Silicon, Vol. 12, pp.975-986, 2020
14. "New structure of tunneling carbon nanotube FET with electrical junction in part of drain region and step impurity distribution pattern"
    Maryam Ghodrati, Ali Mir,
    AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS, Vol. 117, 2020
15. "A novel SOI-MESFET with parallel oxide-metal layers for high voltage and radio frequency applications"
    Hamed Mohammadi,
    AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS, Vol. 83, pp.541-548, 2018
16. "High breakdown voltage and high driving current in a novel silicon-on-insulator MESFET with high- and low-resistance boxes in the drift region"
    , Hamed Mohammadi
    European Physical Journal Plus, Vol. 133, pp.2-10, 2018
17. "Multiplierless Implementation of Noisy Izhikevich Neuron With Low-Cost Digital Design"
    Saeed Haghiri, Abdulhamid Zahedi, , Arash Ahmadi
    IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems, Vol. 12, pp.1422-1430, 2018
18. "A novel SOI-MESFET with symmetrical oxide boxes at both sides of gate and extended drift region into the buried oxide"
    , Fatemeh Heirani
    AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS, Vol. 85, pp.91-98, 2018
19. "Cut Off Frequency Variation by Ambient Heating in Tunneling p-i-n CNTFETs"
    , Maryam Ghodrati
    ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 7, 2018
20. "An efficient structure for T-CNTFETs with intrinsic-n-doped impurity distribution pattern in drain region"
    , Ghodrati Maryam
    Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences, Vol. 26, pp.2335-2346, 2018
21. "SLD-MOSCNT: A new MOSCNT with step-linear doping profile in the source and drain regions"
    Behrooz Abdi Tahne,
    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Vol. 31, 2017
22. "Band bending engineering in p-i-n gate all around Carbon nanotube field effect transistors by multi-segment gate"
    , Behrooz Abdi Tahne
    International Journal of Nano Dimension, Vol. 8, pp.341-350, 2017
23. "Improvement in the performance of graphene nanoribbon p-i-n tunneling field effect transistors by applying lightly doped profile on drain region"
    
    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Vol. 31, 2017
24. "Improvement in the performance of SOI-MESFETs by T-shaped oxide part at channel region: DC and RF characteristics"
    , Fatemeh Heirani
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 111, pp.1022-1033, 2017
25. "Improving band-to-band tunneling in a tunneling carbon nanotube field effect transistor by multi-level development of impurities in the drain region"
    , Maryam Ghodrati
    European Physical Journal Plus, Vol. 132, 2017
26. "Double gate graphene nanoribbon field effect transistor with electrically induced junctions for source and drain regions"
    
    Journal of Computational Electronics, Vol. 15, pp.347-357, 2016
27. "Attributes in the Performance and Design Considerations of Asymmetric Drain and Source Regions in Carbon Nanotube Field Effect Transistors: Quantum Simulation Study"
    , Seyed Abolfazl Ahmadmiri
    ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 5, 2016
28. "Higher Current Ratio and Improved Ambipolar Behavior in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors by Symmetric Pocket Doping Profile"
    
    ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 5, 2016
29. "ReviewMethods in Improving the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors"
    , Behrooz Abdi Tahne
    ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 5, 2016
30. "T-CNTFET with Gate-Drain Overlap and Two Different Gate Metals: A Novel Structure with Increased Saturation Current"
    , Behrooz Abdi Tahne
    ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 5, 2016
31. "Double gate graphene nanoribbon field effect transistor with single halo pocket in channel region"
    
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 89, pp.170-178, 2015
32. "Theoretical analysis of a novel dual gate metal-graphene nanoribbon field effect transistor"
    
    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Vol. 31, pp.223-228, 2015
33. "SDC-CNTFET: STEPWISE DOPING CHANNEL DESIGN IN CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR IMPROVING SHORT CHANNEL EFFECTS IMMUNITY"
    ZAHRA JAMALABADI, PARVIZ KESHAVARZI,
    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Vol. 28, 2014
34. "Numerical study of carbon nanotube field effect transistors in presence of carbon-carbon third nearest neighbor interactions"
    
    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Vol. 28, 2014
35. "Electrically-activated source extension graphene nanoribbon field effect transistor: Novel attributes and design considerations for suppressing short channel effects"
    , Parviz Keshavarzi
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 72, pp.305-318, 2014
36. "The effects of source/drain and gate overlap on the performance of carbon nanotube field effect transistors"
    , Parviz Keshavarzi
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 52, pp.962-976, 2012
37. "Novel carbon nanotube field effect transistor with graded double halo channel"
    , Parviz Keshavarzi
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 51, pp.668-679, 2012
38. "LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel"
    , Parviz Keshavarzi, Ali A. Orouji
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 50, pp.145-156, 2011
39. "بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی در حضور ناهمپوشانی"
    علی نادری، مریم قدرتی
    مدلسازی در مهندسی، نسخه 17، صفحات:215-224، 1398
40. "ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی های سبک در کانال و دی الکتریک دو قسمتی"
    علی نادری، مریم قدرتی
    مهندسی برق و الکترونیک ایران، صفحات:9-16، 1396
41. "SOI-MESFET with a layer of metal in buried oxide and a layer of SiO2 in channel to improve RF and breakdown characteristics"
    علی نادری، Kamran Moradi Satari، Fatemeh Heirani
    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING، نسخه 88، صفحات:57-64، 1396
42. "ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی در ناحیه درین: شبیه سازی عددی کوانتومی"
    بهروز عبدی تهنه، علی نادری
    مدلسازی در مهندسی، نسخه 16، صفحات:109-117، 1396

مقالات علمی ارائه شده در همایش‌ها

1. "Effects of carbon nanotube diameter on the performance of T-CNTFETs"
   Maryam Ghodrati
   3rd International Conference on Nanotechnology, 2018
2. "The performance analysis and comparison between n-i-n and p-i-n carbon nanotube field effect transistors"
   
   SR pioneers, 2017
3. "Lower leakage current and higher current ratio for carbon nanotube field effect transistors by symmetric downward doping at drain and source regions"
   
   SR pioneers, 2017
4. "capacity enhancement in power system with existing switchgear using resistive superconducting fault current limiter"
   mehrdad paimard, vahid abbasi,
   , 2017
5. "Carbon nanotube field effect transistor with four haloes of impurity in the channel and two different dielectric"
   Maryam Ghodrati,
   sr pioneers, 2015
6. "Designing a new MOSCNT using different doping profiles in source and drain regions"
   behrooz abdi tahneh,
   sr pioneers 2015, 2015
7. "Numerical simulation study of cut off frequency in different structures of carbon nanotube field effect transistors"
   
   10th nanoscience and nanotechnology conference, 2014
8. "A New Carbon Nanotube Field Effect Transistor with Stepwise Doping Lightly Doped Drain and Source Regions"
   maryam ghodrati,
   10th nanoscience and nanotechnology conference, 2014
9. "Novel carbon nanotube field effect transistor with double stepwise doping channel"
   zohreh mahmoodi,
   10th nanoscience and nanotechnology conference, 2014
10. "شبیه سازی ساختار با چاله سیلیسیم برای افزاره اثر میدان فلز-نیمه رسانا"
    علی نادری
    کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق/کد اختصاصی:01221-16723، 1401
11. "بهبود حاصلضرب مصرف توان در تاخیر، نسبت جریان و فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با تغییر الگوی توزیع ناخالصی در درین"
    علی نادری
    اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق/ کد اختصاصی:01221-16723، 1401
12. "کاهش اثرات خودگرمایی و بهبود در مشخصات ترانزیستور SOI-MESFET با استفاده از لایه SiC"
    ندا امیری، علی نادری
    سومین کنفرانس ملی میکرو/نانو فناوری // 01220-93971، 1401
13. "کاربرد معادلات هاجکین هاکسلی در مدل سازی بخش های مختلف قلب شامل گره سینوسی دهلیزی، گره دهلیزی بطنی و سلول فیبر پورکینژ"
    مهسا سلیمی منصوری، علی نادری
    چهارمین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم، صفحات:1-10، 1400
14. "بررسی مدل های ریاضی توصیف کننده تولید سیگنا ل های الکتریکی نورون های مغزی با استفاده از معادلات دیفرانسیل"
    مهسا سلیمی منصوری، علی نادری
    پنجمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق و کامپیوتر (TEC-2021) // کد همایش:00210-94375، 1400
15. "بهبود عملکرد ساختارSOI-MESFET با استفاده از چاله های دوگانه و اکسیدهای اضافی در ناحیه کانال"
    ندا امیری، علی نادری
    بیست و هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران// کد همایش:99191-20835، 1399
16. "بررسی اثر تغییرضخامت اکسید گیت بر رفتار فرکانس بالای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلی با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی"
    علی نادری، مریم قدرتی، علی میر
    بیست و هفتمین کنفرانس مهندسی برق ایران // کدهمایش 99191-20835، 1399
17. "کاهش بیشینه میدان الکتریکی در سمت درین در ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی"
    علی نادری، بهروز عبدی تهنه
    دومین کنفرانس ملی فناوریهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر // کد همایش:97181-11302، 1397
18. "استفاده از اکسید گیت ال شکل در ترانزیستورهای ماسفت سیلیکون روی عایق جهت کاهش خازن های گیت"
    علی نادری، بهروز عبدی تهنه
    کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، 1396
19. "بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شروودینگر"
    علی نادری، مریم قدرتی
    دومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم// کد همایش: 96170-40501، 1396
20. "ساختار یک ترانزیستور سیلیکون روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ بالا: شبیه سازی عددی دو بعدی"
    علی نادری، کامران مرادی سطری
    دومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم، 1396
21. "طراحی و پیاده سازی ساختارهایی بهینه از مالتی پلکسرها با تکنولوژس کیو سی ای"
    ملیحه نوروزی، عباس رضایی، علی نادری
    جهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی درمهندسی برق و مکانیک، 1395
22. "بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوعp"
    علی نادری، فاطمه حیرانی، عباس رضایی
    چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی درمهندسی برق و مکانیک// کد همایش: 95160-71903، 1395